1.半导体行业深度报告：多维度复盘产业发展，碎片化场景下辅芯片受益

（报告出品方：国信证券）

半导体产业链概况

2021 年全球半导体市场规模超五千亿美元

2011-2021 年全球半导体市场规模的 CAGR 为 6.4%，2021 年同比增长26%至5559亿美元。半导体（semiconductor）材料是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体产品是用半导体材料制造的器件。根据SIA 的数据，全球半导体销售额从 1977 年的 35.5 亿美元增长到 2021 年的5559 亿美元，近十年的年均复合增速为6.4%；中国半导体销售额从2015年的986亿美元增长到2021年的1925亿美元，占全球销售额的 34.6%。

半导体产品包括集成电路、光电器件、分立器件、传感器四大类，2021 年占比分别为 83.3%、7.8%、5.5%、3.4%。根据 WSTS（The World SemiconductorTradeStatistics）的分类，半导体产品可分为集成电路（IC）、光电器件（O）、分立器件（D）、传感器（S）四大类，2021 年全球销售额分别为4630、434、303、191亿美元，在全球半导体销售额中的占比分别为 83.3%、7.8%、5.5%、3.4%。

2021 年集成电路中逻辑芯片、存储芯片、微处理器、模拟芯片的销售额分别为1548、1538、802、741 亿美元。集成电路（Integrated Circuits）包括模拟芯片和数字芯片，其中数字芯片包括逻辑芯片、存储芯片和微处理器（MPU微处理器/MCU 微控制器/DSP 数字信号处理器）。根据 WSTS 的数据，2011-2021年全球集成电路市场规模的 CAGR 为 6.5%，其中存储芯片和逻辑芯片的CAGR 较高，分别为 9.7%、7.0%；模拟芯片和微处理器的 CAGR 较低，分别为5.8%、2.1%。2021年全球集成电路销售额同比增长 28.2%至 4630 亿美元，其中逻辑芯片、存储芯片、微处理器、模拟芯片的销售额分别同比增长 30.8%、30.9%、15.1%、33.1%至1548、1538、802、741 亿美元。

逻辑芯片和存储芯片在半导体中的占比提升。从半导体市场规模构成来看，逻辑芯片和存储芯片的占比明显提升，分别从 2003 年的22.3%、19.5%提高至2021年的 27.9%、27.7%。微处理器占比从 2003 年的 26.2%降至2021 年的14.4%，降幅明显。模拟芯片占比相对稳定，由 2003 年的 16.1%微降至2021 年的13.3%。

2011-2021年全球半导体光电器件市场规模的 CAGR为6.5%，2021年同比增长7.4%至 434 亿美元。光电器件（Optoelectronics）包括半导体显示、半导体灯、光耦合器、光开关、图像传感器和其他光感应和发射半导体器件等。根据WSTS的数据，2011-2021 年全球半导体光电器件市场规模的 CAGR 为6.5%，其中2021 年同比增长 7.4%至 434 亿美元，占半导体的比例为 7.8%，相比2003 年的5.7%提升2.1pct。

2011-2021年全球传感器/执行器市场规模的 CAGR为9.2%，2021年同比增长28.0%至 191 亿美元。传感器/执行器（Sensors & Actuators）指电学特性被设计成与温度、压力、位移、速度、加速度、应力、应变或任何其他物理、化学或生物特性相关的半导体器件，包括温度传感器、压力传感器、磁场传感器、执行器等。所有光学传感器归类于光电子类别。根据 WSTS 的数据，2011-2021 年全球半导体传感器/执行器市场规模的 CAGR 为 9.2%，其中 2021 年同比增长28.0%至191亿美元，占半导体的比例为3.4%，相比 2003 年的 2.1%提升1.3pct。

2011-2021 年全球分立器件市场规模的 CAGR 为 3.6%，2021 年同比增长27.4%至303 亿美元。分立器件（Discretes）包括二极管、小信号和开关晶体管、功率晶体管、整流器、晶闸管等。根据 WSTS 的数据，2011-2021 年全球分立器件市场规模的 CAGR 为 3.6%，其中 2021 年同比增长 27.4%至303 亿美元，占半导体的比例为 5.5%，相比 2003 年的 8.0%下降 2.5pct。

从下游应用领域来看，计算机和通信占比最高，汽车2021 年增速最高。根据SIA的数据，2021 年全球半导体市场按下游应用领域来看，汽车增长38%至691亿美元，增速最高，占比从 2020 年的 11.4%提高至 12.4%，成为第三大应用领域。计算机和通信长期占据前两大应用领域，2021 年市场规模分别为1750、1706亿美元，占比分别为 31.5%和 30.7%。其他应用领域还包括消费电子、工业、政府，2021年市场规模分别为 684、669、58 亿美元，占比分别为12.3%、12.0%、1.0%。

2010 年以来全球半导体市场集中度提高。根据 IC Insights 的数据，2021年，不包括纯代工厂在内的全球前 50 家半导体厂商合计市占率为89%，相比2010年的81%提高了 8pct。前 5、前 10 和前 25 的公司在 2021 年全球半导体市场的份额分别比 2010 年提高 8pct、9pct、11pct 至 42%、57%、79%。整体来看，2010年以来半导体市场集中度有所提高，IC Insights 认为，随着未来几年的并购继续发生，顶级供应商的份额可能提高到更高的水平。2021 年前十大厂商分别为三星（13.3%）、英特尔（12.5%）、海力士（6.1%）、美光（4.9%）、高通（4.8%）。

半导体行业：设计+制造+封测

半导体行业包括设计、制造、封测三个环节。设计环节主要根据终端客户需求设计出相应的电路图并最终输出版图供晶圆制造企业使用，在设计电路中需要使用自动设计软件 EDA，部分设计还需要使用授权的 IP 核。制造环节指由晶圆制造厂完成的前道工艺，包括氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛光、金属化等七大工艺步骤，在制造过程中需要使用各类半导体前道设备和半导体材料。封测环节指由封测厂完成的后道工艺，包括贴膜、磨片、贴片、划片、装片、键合、测试等，在封测过程中需要使用各类封装材料和半导体后道设备。

半导体企业的经营模式分为 IDM（垂直整合制造）和垂直分工两种主要模式。IDM模式企业内部完成芯片设计、制造、封测全环节，具备产业链整合优势。垂直分工模式芯片设计、制造、封测分别由芯片设计企业（Fabless）、晶圆代工厂（Foundry）、封测厂（OSAT）完成，形成产业链协同效应。

2021 年全球晶圆代工市场规模增长 26%至 1101 亿美元，预计2026 年中国晶圆代工厂份额为 8.8%。根据 IC Insights 的数据，在 5G 手机的应用处理器和其他通讯设备销售的强劲助推下，全球晶圆代工（含纯晶圆代工和IDM 代工）销售额在2019 年下跌 2%之后，在 2020、2021 年分别增长 21%、26%，预计2022 年将继续增长 20%至 1321 亿美元，2020-2022 年是 2002-2004 年以来连续增长最强劲的三年。2021 年中芯国际和华虹增速高于行业，中国企业在纯晶圆代工市场的份额提高 0.9pct 至 8.5%，预计到 2026 年小幅提高至 8.8%。

晶圆代工市场高度集中，其中台积电市占率超过 50%。根据TrendForce的数据，2022 年二季度全球前十大晶圆代工厂的合计市占率达98%，其中台积电稳居全球第一，市占率为 53.4%；排名第二的三星市占率为 16.5%；其他厂商市占率均为个位数。

全球封测市场规模预计将由 2020 年的 594 亿美元增至2025 年的723 亿美元。根据 Frost & Sullivan 数据，全球封测市场规模从 2016 年的510 亿美元增长至2020年的 694 亿美元，预计 2020-2025 年将以年均增速4%增长至723 亿美元。中国封测市场规模从 2016 年的 1564 亿元增长至 2020 年的2510 亿元后，预计2020-2025年将以年均增速 7%增长至 3552 亿元，增速高于全球。

2021 年三家中国企业在全球半导体封装行业中排名前十。根据ittbank的统计，2021 年全球封测行业前五大厂商合计市占率为 63%，其中排名第一的日月光市占率 27.0%，安靠、长电分别以市占率 13.5%和 10.8%排名第二和第三。在全球前十大厂商中，中国 A 股公司长电科技、通富微电、天水华天分别排名第三、第五和第六。

半导体上游行业：EDA+IP+设备+材料

半导体上游行业主要包括贯穿设计制造封测的 EDA 软件，芯片设计所需的IP，以及晶圆制造和封测环节需要用到的半导体设备和材料。

EDA 工具：贯穿芯片设计制造封测的重要软件，全球三足鼎立

EDA 是集成电路上游基础软件。EDA（Electronic Design Automation,电子设计自动化）是指利用计算机软件完成大规模集成电路的功能设计、仿真、验证等流程的设计方式，结合图形学、计算数学、微电子学、拓扑逻辑学、材料学及人工智能等技术。对于上亿乃至上百亿晶体管规模的芯片设计，EDA 工具保证了各阶段、各层次设计过程的准确性，降低了设计成本、缩短了设计周期、提高了设计效率。作为集成电路领域的上游基础工具，EDA 贯穿集成电路设计、制造、封测等环节。 2021 年全球 EDA 市场规模增长 16%至 133 亿美元，其中SIP 占比38%。根据ESDAlliance 的数据，全球 EDA 市场规模 2012-2021 年逐年增长，CAGR 为8.2%，其中 2020、2021 年连续两年保持两位数增长，增速分别为11.6%、15.8%，2021年市 场 规 模 达 133 亿 美 元 。 从 产 品 或 下 游 构 成来看，SIP （SemiconductorIntellectual Property）占比最高，2021 年为38%；CAE（Computer-AidedEngineering）占比也常年维持在 30%以上，2021 年为31%；IC 物理设计和验证2021 年占比 19%；PCB&MCM（Printed Circuit Board and Multi-Chip Module）和服务 2021 年占比分别为 9%和 3%。

2021 年美洲在全球 EDA 市场中占比 43%，2020 年中国EDA 市场规模为66亿元。根据 ESD Alliance 的数据，美洲是全球 EDA 最大的市场，占比长期维持在40%以上，2021 年为 43%；2021 年亚太地区（除日本）占比第二，为36%；剩余的EMEA（欧洲、中东、非洲）占比 14%，日本占比 7%。根据赛迪智库和华大九天招股书的数据，2020 年我国 EDA 市场规模为 66 亿元，同比增长20%，其中我国自主EDA工具企业在本土市场的营业收入约为 7.6 亿元，同比增长65%。

全球 EDA 市场三足鼎立。从竞争格局来看，全球 EDA 市场呈现三足鼎立格局，根据前瞻产业研究院的统计，2020 年 Synopsys、Cadence 及西门子EDA 合计占据全球近 70%的份额，在集成电路设计全流程上拥有优势，已形成完善的生态体系、较高的行业壁垒及较强的用户粘性，属于全球第一梯队。第二梯队包括华大九天等，在部分领域具有全流程工具或在局部领域具有领先优势。第三梯队企业主要聚焦于某些特定领域或用途的点工具，整体规模和产品完整度与前两大梯队的企业存在明显的差距。我国 EDA 市场集中度高于全球，2020 年前三大厂商合计市占率约 78%，其中本土的华大九天市占率约 6%。

半导体 IP 核：特定集成电路模块，可缩短芯片设计周期

IP（Intellectual Property）是指集成电路设计中预先设计、验证好的功能模块，通常由第三方 IP 供应商开发，并提供成熟的IP 模块给芯片设计公司用于集成，可有效缩短芯片设计周期并提升芯片性能。当前国际上绝大部分SoC都是基于多种不同 IP 组合进行设计的，随着先进制程的演讲，线宽的缩小使得芯片中晶体管数量大幅提升，使得单颗芯片中可集成的 IP 数量也大幅增加。根据IBS报告，以 28nm 工艺节点为例，单颗芯片中已可集成的 IP 数量为87 个；当工艺节点演进至 7nm 时，可集成的 IP 数量达到 178 个。

IP 核分为软核、硬核和固核三种。按照开发完成度，IP 核可划分为软核、固核、硬核三类,软核一般指使用硬件描述语言（HDL）形式提供给客户的代码文件，其中不涉及具体电路元件实现等功能，软核代码直接参与设计的编译流程，以HDL代码形式呈现；固核设计程度介于软核与硬核之间，用户可以根据需求重新定义性能参数，内部连线表可根据需求进行优化，最终以HDL 门级电路网表呈现；硬核是设计阶段最终产品，提供给用户光掩模图和全套工艺文件。从完成IP核所花费的成本来讲，硬核代价最大；从使用灵活性来讲，软核最高。

2021 年全球半导体 IP 市场规模增长 19%至 54.5 亿美元，其中处理器IP是占比最大的类别。根据 IPnest 的数据，2021 年全球半导体IP 市场规模同比增长19%至 54.5 亿美元，2016-2021 年的 CAGR 为 9.8%，IBS 预计2027 年全球IP市场规模将达 101 亿美元。从 IP 类别来看，处理器 IP 占最大的比例，根据IPnest的数据，2019 年 CPU IP 占比 36.0%，DSP IP 占比 5.1%，GPU/ISP IP 占5.1%，接口IP 占比 22.1%，其他合计占比 26.9%。

ARM 一家独大，2021 年市占率 40%。从竞争格局来看，ARM、Synopsys、Candence近年稳居市场前三，根据 IPnest 的数据，2021 年市占率分别为40.4%、19.7%、5.8%，合计占比 65.9%。

半导体设备：半导体制造、封测过程中所使用的设备

根据工艺流程，半导体设备主要分为制造设备和封测设备两类。半导体生产分为前道工艺（Front End）和后道工艺（Back End），其中前道工艺指在晶圆上形成器件的工艺过程，也称晶圆制造，后道工艺指将晶圆上的器件分离、封测的工艺过程。根据用于的工艺流程不同，半导体设备主要分为制造设备（前道设备）和封测设备（后道设备）两类，其中制造设备主要用于晶圆制造环节，包括退火炉、光刻机、刻蚀机、离子注入机、薄膜沉积设备、CMP 设备、清洗设备等；封测设备主要用于晶圆封测环节，包括划片机、裂片机、引线键合机、测试机、探针台、分选机等。

2021 年全球半导体设备销售额增长 44%至 1026 亿美元。根据SEMI 的数据，2021年全球半导体设备销售额为 1026 亿美元，增长 44%，2014-2021 年的CAGR为15%。2021 年中国半导体设备销售额为 296 亿美元，增长58%，占全球的29%，是全球最大的市场，2014-2021 年的 CAGR 为 31%，远高于全球的15%。

晶圆制造设备占半导体设备的比例超过 80%。根据半导体制造中前道工艺（晶圆制造）和后道工艺（封装测试）之分，应用于集成电路领域的设备通常可分为晶圆制造设备（前道工艺设备）和封测设备（后道工艺设备）两大类，其中晶圆制造设备市场占半导体设备主要市场份额，根据 SEMI 数据，2021 年全球晶圆制造（前道）设备市场占比为 85.4%，后道封装及测试设备分别占比7.0%和7.6%，预计 2022-2023 年晶圆制造设备占比继续维持在 86%左右。

薄膜生长、刻蚀和光刻设备为晶圆制造核心设备，其市场规模最大。对应主要工艺，晶圆制造设备主要包括氧化/扩散设备、光刻设备、刻蚀设备、清洗设备、离子注入设备、薄膜沉积设备、机械抛光设备等，其中光刻、刻蚀和薄膜生长设备市场规模最大。根据 Gartner 数据，2021 年全球半导体前道薄膜生长、刻蚀和光刻设备市场规模分别为 207 亿美元、200 亿美元和171 亿美元，位居前三。

全球晶圆制造设备由美、日、欧企业主导。2021 年全球前十大半导体设备公司中3 家来自美国，包括全球第一的应用材料；荷兰的ASML 由于其在浸润式DUV光刻机及 EUV 垄断地位在全球半导体设备企业中排名第二；日本有五家半导体设备企业排名前十，包括全球第三的 TEL。

半导体材料：半导体制造、封装过程中所使用的材料

根据工艺过程，半导体材料可以分为晶圆制造材料和封装材料。晶圆制造材料主要用于晶圆制造环节，包括衬底、光刻胶、光掩模、溅射靶材、湿电子化学品、电子特气、CMP 材料等。封装材料主要用于封装环节，包括基板、引线框架、键合丝、塑封材料、粘晶材料、底部填充料、锡球等。

2021 年全球半导体材料市场规模增长 16%至 643 亿美元。根据SEMI 的数据，2021年全球半导体材料市场规模为 643 亿美元，增长 15.9%，2014-2021 年的CAGR为5.5%。中国半导体材料市场规模为 119 亿美元，增长21.9%，占全球的19%，2014-2021 年的 CAGR 为 10.3%，高于全球的 5.5%。

2022年晶圆制造材料增速高于封装材料，在半导体材料中占比超过60%。根据SEMI的数据，2021 年晶圆制造材料市场规模约 400 亿美元，在半导体材料中占比超过60%。SEMI 预计 2022 年全球半导体材料市场规模将继续增长7%，其中晶圆制造材料和封装材料分别增长 8.4%和 3.9%。 半导体硅片是最重要的晶圆制造材料，2020 年占比超过30%。根据SEMI的数据，2020 年 349 亿美元晶圆制造材料中，半导体硅片为112 亿美元，占比超过30%；其他占比超过 10%的还有电子特气和光掩膜版；剩余材料的市场规模均低于30亿美金，占比个位数。

2021 年全球半导体硅片市场规模增长 12.5%至 126 亿美元。根据SEMI 的数据，2021 年半导体硅片市场规模为 126 亿美元，增长 12.5%，2011-2021 年的CAGR为2.4%。其中 2021 年面积为 142 亿平方英寸，同比增长14%，2011-2021 年的CAGR为 4.6%；单位面积价格由 2011 年的 1.09 美元/平方英寸下降至2021 年的0.89美元/平方英寸。

全球半导体多维度复盘

供需维度：周期性

全球半导体增速与 GDP 增速的相关性提高，预计 2019-2024 年的相关系数为0.90。根据 IC Insights 的数据，2000 年前半导体处于快速增长阶段，与全球GDP增速相关性较低；2000 年后，全球半导体增速与 GDP 增速的相关系数逐渐提高，2000-2009 年为 0.63，2010-2019 年为 0.85，预计2019-2024 年将达到0.90，代表全球半导体增速与全球 GDP 增速高度线性相关。

半导体行业具有明显的周期性。通过分析 SIA 的半导体销售额数据可知，半导体行业具有明显的周期性，比如 1Q13-4Q14 景气上行（补库存，增速平稳），1Q15-2Q16景气下行（PC 需求疲软，2015 年 PC 销量减少 8%）；3Q16-2Q18 景气上行（手机、服务器存储容量升级等），3Q18-3Q19 景气下行（存储产能大幅释放，去库存）；4Q19-4Q21 景气上行（疫情增加了半导体需求，同时影响了部分供给，半导体缺货涨价），1Q22 至今景气下行（下游 PC、手机需求疲软，去库存）。从统计的十家半导体大厂的平均存货周转天数来看，顶峰出现在每轮周期的底部，同时呈现出走高的趋势，我们认为与近年全球供应链的不确定性有关。

半导体的周期性主要由于供需失衡，若产能出现意外受限会放大行业的波动。晶圆厂扩建一般需要 1-2 年才能释放产能，因此在需求增加时无法即时进行响应，同时由于晶圆产能相对刚性，在需求减少时也无法进行收缩，因此半导体行业会由于供需失衡而呈现出周期性：下游终端客户在需求增加时会进行补库存，带动晶圆产能紧张，为了保证供应抢占市场份额，终端客户存在过度下单的可能；为了满足客户的需求，晶圆厂会加大扩产；经过一两年的产能建设，下游需求可能出现放缓，客户会通过砍单去库存；晶圆产能供过于求，缩减投资。在此过程中，原有晶圆产能若由于外部因素出现供给减少，比如2016-2017 年存储厂制程转换不及预期或 2020 年疫情导致的停产，将会放大下游重复性订单需求，从而放大行业的波动。

2012-2015 年费城半导体指数走势滞后于半导体基本面变化，2016 年后的两轮周期中领先约半年。自 2012 年以来，费城半导体指数走势整体强于纳斯达克指数。通过对比近三轮周期中费城半导体指数相对纳斯达克指数的收益和半导体月销售额的同比增速，可以看出在 2012-2015 年间，费城半导体指数表现滞后于半导体基本面变化，在半导体月销售额同比增速明显提高后，费城半导体指数表现才强于纳斯达克指数，反之亦然。但在 2016 年以后的两轮周期中，费城半导体指数均表现出领先性，比如 2019 年 6 月半导体月销售额同比增速触底，费城半导体指数从 2018 年 11 月开始连续跑赢纳斯达克指数；2021 年1 月开始半导体月销售额同比增速明显提升，费城半导体指数从 2020 年 9 月开始连续跑赢纳斯达克指数。

从产品类别来看，存储芯片的波动性最大。根据 WSTS 的数据，2011-2021年全球半导体销售额增速的最大值为 2021 年的 26.2%，最小值为2019 年的-12.0%。在各子行业中，存储芯片由于价格波动大，增速变动范围最大，2011-2021年增速的最大值为 2017 年的 61.5%，最小值为 2019 年的-32.6%。光电器件、传感器/执行器、微处理器波动性弱于行业整体，模拟芯片、分立器件波动性与行业整体接近。

从产业链环节来看，半导体设备销售额波动较大，半导体材料销售额波动较小。从 2015-2021 年来看，半导体设备销售额的增速波动较大，2017、2021 年的增速分别为 37.3%、44.2%，远高于半导体销售额的 21.6%、26.2%和半导体材料销售额的 9.6%、15.9%。从增速变化来看，半导体、半导体设备、半导体材料整体保持一致，不过半导体材料销售额波动幅度较小，且在上一轮周期中增速见顶年份为2018 年，晚于半导体和半导体设备的 2017 年。

不同周期中各半导体企业股价表现存在差异，与当期半导体周期催化因素有关。通过比较 SUMCO、应用材料、美光、联发科、英飞凌、台积电与费城半导体指数的股价走势，可以发现在 2016 和 2020 年的两轮半导体周期中，各公司的股价表现存在明显差异。其中，2016 年上涨中美光、应用材料、SUMCO 表现较好，主要是因为本轮周期的最大催化因素是存储芯片供需失衡带来大幅涨价，进而引发存储大厂进行大规模投资，在这轮周期中，存储及其上游是最大受益环节。2020 年上涨中联发科、台积电率先上涨，本轮周期中最大催化因素是疫情导致整个行业供需失衡，从而缺芯涨价。在本轮周期中晶圆产能紧缺，台积电是全球最大的晶圆代工厂，受益明显；联发科除受益行业趋势外，还受益于华为海思受限后的份额提升。随着晶圆产能持续紧缺，各大 IDM 和晶圆代工厂进行大额资本开支，应用材料从 2020 年底快速上涨跑赢费城半导体指数。

目前半导体处于景气下行阶段，预计 2023 年同比减少4.1%。根据SIA 的数据，全球半导体月销售额的同比增速自 2022 年 1 月以来持续收窄，目前处于景气下行阶段。同时，WSTS 在 11 月底更新了今明两年全球半导体市场规模的预测值，分别同比增长 4.4%/-4.1%至 5801/5566 亿美元，增速较8 月预测的13.9%/4.6%明显下调，细分品类中模拟芯片和 OSD 明年有望维持正增长，预计模拟芯片和分立器件明年分别增长 1.6%和 2.8%。

技术维度：摩尔定律-先进封装

摩尔定律由英特尔创始人之一戈登·摩尔在 1965 年提出，是指集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过 18 个月到 24 个月便会增加一倍。根据摩尔定律，半导体厂商不断缩小工艺制程，从微米级发展到纳米级，摩尔定律是推动半导体技术发展的主要动力。 半导体工艺主要包括 BJT、PMOS、NMOS、CMOS、BiCMOS、BCD、HV-CMOS 等。BJT 工艺（Bipolar Junction Transistor，双极型晶体管）：1947 年，贝尔实验室制造出第一只点接触晶体管，1949 年肖克利提出PN 结和双极型晶体管理论；1951 年贝尔实验室制造出第一只锗双极型晶体管，1956 年德州仪器制造出第一只硅双极晶体管。双极性晶体管也称为三极管，由不同掺杂浓度的发射极、基极、集电极构成，包括 NPN 和 PNP 两种结构形式，属于电流控制器件，工作时涉及电子和空穴两种载流子的流动，通常用于电流放大型电路、功率放大型电路和高速电路。 双极型工艺制造流程简单、成本低、成品率高，在电路性能方面具有高速度、低噪声、高模拟精度、强电流驱动能力等优势，一直在高速电路、模拟电路和功率电路中占主导地位，但由于集成度低、功耗大，纵向尺寸无法随横向尺寸比例缩小，所以在超大规模集成电路 VLSI 中受到限制，20 世纪70 年代在逻辑运算领域逐步被 NMOS 和 CMOS 工艺取代。

PMOS 工艺（Positive channel Metal Oxide Semiconductor，P 沟道金属氧化物半导体）：PMOS 工艺出现在 20 世纪 60 年代，是最早出现的MOS 工艺，制作在n型衬底上，由源极、栅极、漏极构成，其中栅极主要是金属铝，属于电压控制器件，工作时依靠空穴导电。由于功耗低，PMOS 适合用于逻辑运算集成电路，但是空穴迁移率低导致 PMOS 速度慢，因此主要应用于手表、计算器等对速度要求低的领域。 NMOS 工艺（Negative channel Metal Oxide Semiconductor，N 沟道金属氧化物半导体）：NMOS 工艺出现在 20 世纪 70 年代初期，制作在p 型衬底上，由源极、栅极、漏极构成，其中栅极由铝逐步变为多晶硅，属于电压控制器件，工作时依靠电子导电。由于电子迁移率远高于空穴，NMOS 工艺出现后迅速取代了PMOS工艺。与双极型工艺相比，NMOS 的集成度更高，光刻步骤更少，因此成本更低。但是随着集成度的不断提高，功耗和散热成为限制芯片性能的瓶颈，NMOS 工艺在超大规模集成电路中的应用受到限制。

CMOS 工艺（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）：CMOS 是将 NMOS 和 PMOS 制造在同一个芯片上，利用互补对称电路来配置连接 PMOS 和 NMOS 从而形成逻辑电路，静态功耗理论上接近零，于1963 年首次提出。1966 年美国无线电公司研制出首颗 CMOS 工艺门阵列集成电路，但由于当时工艺技术的落后，CMOS 工艺的集成电路不高，速度很慢，而且容易烧毁电路，CMOS并未得到大规模应用。直到 20 世纪 70 年代，LOCOS（硅局部氧化）隔离技术被发明，以及光刻、离子注入技术的进步，CMOS 在集成度、功耗、成本等方面的优势显现，20 世纪 80 年代 CMOS 工艺成为超大规模集成电路的主流工艺。

BiCMOS、BCD、HV-CMOS 等特殊工艺：特殊工艺主要来自两种及以上工艺的组合，可以集合各自的优点。其中 BiCMOS 工艺将双极型和CMOS 器件制造在同一个芯片上，目前主要用于 RF 电路、LED 控制驱动和 IGBT 控制驱动；BCD 工艺将双极型、CMOS 和 DMOS（扩散 MOS）器件制作在同一芯片上，由意法半导体在1986年率先研发成功，其中 DMOS 器件可以耐高压，适合高压功率部分，BCD 工艺主要用于电压管理、显示驱动等；HV-CMOS 将高压 MOS 和 CMOS 制作在同一芯片上，高压MOS器件可以承受高压，但电流驱动能力较弱，成本低于BCD 工艺，适合只需要驱动高压信号，而没有大功率要求的芯片，主要用于 ACDC、DCDC、高压数模混合电路、LCD 和 LED 屏幕驱动等。

半导体工艺遵循摩尔定律不断缩小制程，集成度不断提高。传统意义中，半导体工艺制程指栅极的宽度（Gate Length），遵循摩尔定律，半导体工艺制程不断缩小。1971 年英特尔微处理器 4004 采用 10um PMOS 工艺，集成2300 个晶体管；1974年英特尔微处理器 8080 采用 6um NMOS 工艺，集成6000 个晶体管；1978年英特尔微处理器 8086 采用 3um CMOS 工艺，集成 2.9 万个晶体管；1993 年英特尔奔腾60 采用 0.80um 工艺，集成 310 万个晶体管；2004 年英特尔奔腾4E 处理器采用90nm 工艺，集成 1 亿个晶体管；2022 年 AMD 锐龙7000 处理器中的CUP 核采用台积电 5nm 工艺，集成 66 亿个晶体管。与逻辑制程CMOS 严格按照摩尔定律推进不同，BCD 工艺朝着高压、高功率、高密度方向发展，制程缩进明显慢于CMOS工艺。

More Moore 路线继续缩小制程，新型晶体管被采用。2005 年ITRS（InternationalTechnology Roadmap for Semiconductors）首次提出“More Moore”和“MorethanMoore”两种方向，其中 More Moore 延续之前的整体思路，在器件结构、沟道材料、连接导线、高介质金属栅、架构系统、制造工艺等方面进行创新研发，继续沿着摩尔定律缩小数字集成电路的特征尺寸。在制程进入20nm 以下时，原有的Planar FET（平面场效应晶体管，一面有栅极）面临漏电和栅极对通道控制不足等问题，为了继续提高集成度，FinFET(鳍式场效应晶体管，三面有栅极)和GAAFET（全栅场效应晶体管，四面有栅极）被研发出来。英特尔最早于 2011 年推出商业化的 FinFET 工艺技术并应用于22nm 制程工艺，之后台积电、三星等厂商陆续跟进，工艺制程顺利推进到5nm。目前，台积电、三星均在积极研发 3nm、2nm 制程，除台积电 3nm 制程继续采用FinFET 外，其他预计均将采用 GAAFET。随着 GF 在 2018 年宣布退出 7nm 研发，全球10nm 以下制程的参与者仅剩台积电、三星、英特尔。

先进制程的成本快速提升且接近物理极限，先进封装获重视。随着工艺制程进入10nm 以下，芯片设计成本快速提高。根据 International Business Strategies（IBS）的数据，16nm 工艺的芯片设计成本为 1.06 亿美元，5nm 增至5.42亿美元。同时，由于先进制程越来越接近物理极限，摩尔定律明显放缓，侧重封装技术的More than Moore 路径越来越被重视。 2008 年台积电成立集成互连与封装技术整合部门，专门研究先进封装技术；2011年推出 2.5D 封装技术 CoWoS（Chip On Wafer On Substrate）；2014 年开始研发先进封装技术 InFO（Integrated Fan-Out）；2018 年公司宣布研发3D 封装技术SoIC（System on Integrated Chips），预计将在 2022 下半年完成初步验证；2020年公司将这些先进封装技术统一纳入 3D Fabric 技术平台，为客户提供更大的芯片设计灵活性。

经营维度：IDM-Fabless-Fablite/虚拟IDM

半导体产业初期均采用 IDM 经营模式，终端大厂的半导体部门逐渐被剥离。半导体产业发展初期，除初创半导体企业外，终端大厂也通过设立半导体部门积极参与，且都采用 IDM 经营模式，需要自己建立工厂。随着产业发展，新产品的研发费用和新工厂的投资金额等大幅提高，以满足本公司半导体产品需求为主的半导体部门无法获得规模优势，在亚洲金融危机、互联网泡沫期间出现大幅亏损，各终端厂纷纷通过出售相关半导体业务或拆分为独立公司以改善财务报表。比如西门子 1999 年将半导体业务分拆为英飞凌，摩托罗拉2004 年将半导体业务分拆为飞思卡尔（2015 年被恩智浦收购），飞利浦 2006 年将半导体业务分拆为恩智浦。基于供应链安全和提升性能，部分终端大厂涉足半导体领域。从现在来看，虽然半导体独立供应商仍是主流，但越来越多终端大厂涉足半导体领域。我们认为，原来苹果采用自己的 A 系列芯片、华为采用自己的麒麟芯片等更多的是基于提高产品竞争力的角度，同时手机销量也使研发投入具有规模效应，所以涉足半导体领域更多的是基于商业逻辑；而现在，更多的终端大厂涉足半导体领域是基于供应链安全的考虑，除了手机这种大单品厂商外，汽车、家电等终端厂商也逐渐参与进来，且大部分采用 Fabless 的模式。另外，部分终端厂商也通过股权投资的角度加强与半导体厂商的合作关系。

安靠、台积电开创封测、晶圆代工外包模式，半导体产业开启分工协作模式。1968年安靠成立，专门从事半导体的封装测试业务。1987 年台积电成立，专门从事半导体的晶圆代工业务。半导体产业 Fabless 芯片设计+Foundry 晶圆代工+OSAT外包封测的经营模式形成。由于不需要进行大额的晶圆厂投资，越来越多的新企业采用 Fabless 模式，比如 1985 年成立的高通，1993 年成立的英伟达。另一方面，为了减轻折旧压力及获得外部晶圆厂先进技术，部分IDM 大厂通过剥离晶圆厂变为 Fabless 设计公司，比如 1969 年成立的 AMD 在 2009 年剥离了晶圆厂。为了综合 IDM 和 Fabless 两种模式的优势，Fab-Lite/虚拟IDM 经营模式逐渐盛行。IDM 模式拥有自己的晶圆厂，在产能保障和研发协同效率方面存在优势，但大额的晶圆厂建设若不能满载将存在较大的折旧压力，拖累企业经营；而Fabless企业由于不需要自己建厂，资金投入压力小，但在产能短缺时可能无法获得足够的产能保障，在部分产品研发效率上也低于 IDM 厂商，尤其是在特殊工艺方面。为了能提高研发效率和保证特殊工艺的获得，同时降低资金投入压力，部分厂商选择 Fab-Lite/虚拟 IDM 的经营模式，自建部分产线或自研工艺平台。一方面，传统 IDM 企业逐渐通过外部代工厂获得新增产能需求，比如ADI、安森美等；另一方面，传统 Fabless 厂商通过建设部分特殊产线拥有自建的产能，比如卓胜微、斯达半导等，或者通过自研工艺平台获得工艺优势，比如MPS、杰华特等。

2021 年 Fabless 厂商的销售额增速为 36%，高于 IDM 厂商的21%。根据ICInsight的数据，2003 到 2021 年间的大部分年份，Fabless 厂商的增速均高于IDM厂商，除 2010 年和存储器市场需求旺盛的 2017、2018 年。2019-2021 年两者之间的增速差异明显，2019 年 IDM 厂商销售额减少 20%，Fabless 厂商仅减少1%；2021年Fabless 厂商的销售额增速为 36%，高于 IDM 厂商的21%。2021 年 Fabless 厂商占全球 IC 销售额的 34.8%，相比2003 年的14.2%提高20.6pct。根据 IC Insight 的数据，Fabless 厂商的销售额在全球IC 销售额中的占比整体呈上升趋势，2003 年仅 14.2%，2016 年创新高30.6%后，2017、2018年有所下降，2019-2021 年重回上升趋势，2021 年占比达到34.8%，创历史新高，相比 2003 年提高 20.6pct。

全球前十大半导体厂商中 Fabless 企业数量增加。2021 年全球前十大半导体企业（不含纯晶圆代工厂）中，新进了两家公司，分别是中国台湾的Fabless企业联发科和美国的 Fabless 企业 AMD，取代了 2020 年的苹果和英飞凌。其中联发科销售额增长 61%，从第 11 位上升到第 8 位，AMD 销售额增长68%，从第14 位上升到第 10 位。总的来看，全球前十大半导体厂商中，Fabless 企业数量在增加，2000年全是 IDM 企业，2008 年首家 Fabless 企业高通进入全球前十大，2021 年Fabless企业增加到五家。

产业转移维度：美国-日本-韩国、中国台湾

美国发明了晶体管和集成电路，是半导体产业的发源地。1947 年，全球第一个晶体管诞生于美国贝尔实验室，肖克利被誉为“晶体管之父”，1957 年美国第一个轨道卫星“探测者”首次使用晶体管技术；1958 年德州仪器的基尔比采用锗材料制作了第一块集成电路概念样品并申请了专利；1959 年，仙童半导体公司的诺伊斯发明了平面工艺技术，使集成电路可商业化生产。美国半导体发展初期主要依赖政府订单。之后这些早期培养的人才分散开来，在硅谷创立了众多半导体公司，包括有名的“八叛逆”创立的仙童半导体，以及从仙童半导体出来的员工创立的英特尔、AMD 等。 半导体产业已完成两次产业转移，近年产业链出现逆全球化趋势。第一次是1980s由美国转移到日本，产生了东芝、富士通等日本世界级半导体公司；第二次是1990s 从日本转移到韩国、中国台湾，这期间大规模集成电路开始生产，培育了三星、台积电等半导体公司。经过前两次半导体产业转移，半导体产业链形成了全球分工合作的模式。但随着这两年全球国际形势日益复杂，各国基于供应链安全考虑，均在加大本土半导体产业投资，引入本土供应商，出现逆全球化发展的趋势。

日本通过 VLSI 计划缩小与美国的差距。1973 年世界石油危机后，欧美经济停滞，美国逐渐减少在半导体领域的投资，此时美国对日本还有5 年左右的技术优势。而这期间，日本却加大了投资。1974 年，日本政府批准VLSI（超大规模集成电路）计划；1976-1979 年，日本成立“VLSI 共同研究所”，来自日立、三菱、富士通、东芝、日本电气的研究人员共同进行技术研究，共取得1000 多项专利。该计划的实施缩小了日本与美国的技术差异，之后 64Kbit DRAM 研发成功比美国早半年，256Kbit DRAM 研发成功比美国早一年。 20 世纪 80 年代日本半导体超越美国，达到历史顶峰。随着大型计算机的兴起，日本凭借高可靠 DRAM 产品不断抢占市场，20 世纪80 年代，日本公司在DRAM产品领域已全面领先，1986 年在全球 DRAM 的市占率达到80%，远远超过美国。1989年，日本集成电路产品的全球市占率达到 53%，领先于美国的37%。1990年，全球前十大半导体企业中有 6 家来自日本，分别是 NEC、东芝、日立、富士通、三菱、松下。

由于美国的打压和错过个人计算机，20 世纪 90 年代日本半导体由盛转衰。随着日本半导体崛起动，美日围绕半导体的贸易摩擦开始激化。1985 年，美国半导体企业提出反倾销诉讼，同年“广场协议”签订，日元升值；1986 年，美日签署半导体协议引入了价格监督制度并约定提高美国半导体产品在日本国内市场的份额；1987 年，美国宣布对含日本芯片的日本产品征收反倾销税等报复措施。另一方面，大型计算机逐渐向个人计算机转变，对 DRAM 的要求由高可靠性向快速更新且低价转变，但是日本企业未能及时调整战略，仍执着于研发寿命长、性能高的DRAM 产品，错过了个人计算机的时代。日本半导体产业由盛转衰，到2012年日本已经不存在 DRAM 企业。 目前日本仍在全球半导体产业中占有重要位置，尤其是半导体设备和材料领域。虽然现在日本半导体产业不如 20 世纪 80 年代，但仍然在部分领域占据重要位置。比如索尼是全球最大的 CIS 供应商，瑞萨是全球主要的MCU 供应商。另外，日本培养了一批优秀的半导体上游企业，在全球半导体设备和半导体材料领域举足轻重。在全球前十大半导体设备企业中，日本占据五家；在半导体硅片领域，日本信越化学和 SUMCO 合计市占率超过 50%。

政府支持+大财团参与，韩国 DRAM 技术超过美国和日本。二十世纪60 年代，主要参与半导体封测环节。20 世纪 70 年代韩国经济受到威胁，为此，韩国政府1973年宣布“重工业促进计划”；1975 年，韩国政府制定推动半导体产业的六年计划，建立了韩国高级科学技术研究院；1976 年，建立韩国电子技术研究所；1981年，韩国政府通过《半导体工业综合发展计划》以支持4Mbit、256Mbit DRAM的开发。同时，三星、现代、LG 也开始进军半导体。1986 年，韩国将4Mbit DRAM列为国家项目，将三星、现代、LG 组成联盟，该项目的研发成功，缩小了与美日之间的差距，也培养了企业的独立研发能力。1992 年，韩国与美日同期研发制造出64MbitDRAM；1995 年，韩国率先生产出 256Mbit DRAM。 抓住个人计算机兴起的机会，利用逆周期投资抢占全球存储市场。随着个人计算机的兴起，韩国三星等企业推出寿命短但价格低的DRAM 产品，迅速抢占日本产品的市场份额。之后韩国多次进行逆周期投资，即在需求不景气、DRAM 价格大幅下滑的情况下，与美日厂商大幅削减资本开支不同，韩国企业加大投资扩产，当市场回暖的时候抢占份额。二十世纪末韩国 DRAM 市占率超过日本，成为全球第一，且市占率持续攀升。目前，韩国三星、海力士仍然是全球前十大半导体厂商。

电子研究所吸收半导体技术后向企业界转移，中国台湾拥有全球最大的晶圆代工厂和外包封测厂。与韩国类似，基于成本考虑，20 世纪60 年代，美国半导体厂商在中国台湾设立封装厂。1974 年，中国台湾设立电子研究所，集中人力、物力、财力开始发展自主的半导体技术；1976 年，引进 RCA 5um 集成电路制造技术和设计技术；1978 年，电子研究所成功掌握 CMOS 技术，建成CMOS 集成电路示范工厂；1979 年，电子研究所向企业界转移生产技术和设计技术。20 世纪80 年代，中国台湾成立了联华电子、台积电、华邦等企业。目前，中国台湾拥有联发科、台积电、日月光等全球半导体知名企业。

经过第二次半导体产业转移，日本企业市占率下降，美国恢复至全球第一，日本以外的亚洲地区企业市占率上升。从半导体企业总部所在地区来看，日本企业在全球半导体市场的份额持续下降，从 1990 年的 49%下降到2021 年的6%；欧洲企业下降幅度低于日本，从 1990 年的 9%下降到 2021 年的6%；北美保持稳健上升趋势，从 1990 年的 38%上升到 2021 年的 54%；得益于韩国和中国台湾半导体企业的发展，日本以外的其他亚洲地区份额提升明显，从1990 年的4%提升到2021年的34%，半导体销售额 31 年的 CAGR 为 15.9%，约两倍于行业的8.2%。

美国在研发密集的领域保持领先地位，亚洲地区在资本密集和劳动力密集的领域领先。根据 SIA 的报告，在研发密集的 EDA/IP 核、逻辑、半导体设备、DAO（分立器件、模拟器件、光电子器件），美国市占率领先，2021 年分别为72%、67%、42%、37%；研发密集领域仅存储芯片市占率较低，为28%，明显低于韩国的58%。在资本密集的材料和晶圆制造领域，各国市占率差异较小，亚洲主要地区合计市占率约 73%。在资本和劳动力密集的封测领域，中国市占率最高，为38%。总的来说，在半导体价值链中，美国占比 35%，中国占比11%。

材料维度：第一代-第二代-第三代

半导体衬底的研究始于 19 世纪，至今已发展至第四代半导体材料，各个代际半导体材料之间互相补充。 第一代半导体：以硅（Si）、锗（Ge）等为代表，是由单一元素构成的元素半导体材料。硅半导体材料及其集成电路的发展导致了微型计算机的出现和整个信息产业的飞跃。 第二代半导体：以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等为代表，也包括三元化合物半导体，如 GaAsAl、GaAsP，还包括一些固溶体半导体、非静态半导体等。随着以光通信为基础的信息高速公路的崛起和社会信息化的发展，第二代半导体材料显示出其优越性，砷化镓和磷化铟半导体激光器成为光通信系统中的关键器件，同时砷化镓高速器件也开拓了光纤及移动通信的新产业。 第三代半导体：以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体材料。具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。 第四代半导体：以氧化镓（Ga2O3）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）为代表的超宽禁带半导体材料，禁带宽度超过 4eV；以及以锑化物（GaSb、InSb）为代表的超窄禁带半导体材料。超宽禁带材料凭借其比第三代半导体材料更宽的禁带，在高频功率器件领域有更突出的特性优势；超窄禁带材料由于易激发、迁移率高，主要用于探测器、激光器等器件的应用中。

基于成本优势，各类半导体衬底材料都朝着大尺寸方向发展。以半导体硅片为例，1964 年商用尺寸为 1 英寸，之后尺寸逐渐增大，1984 年量产8 英寸，2001年量产 12 英寸，主要是因为大尺寸硅片可带来显著的经济效益，比如12 英寸硅片的面积是 8 英寸的 2.25 倍，可使用率是 8 英寸的 2.5 倍左右，单片可产出的芯片数量增加，单个芯片的成本随之降低。目前半导体硅片商用的最大尺寸为12英寸，GaAs、SiC 商用的最大尺寸为 8 英寸。

与 Si 相比，SiC 在耐高压、耐高温、高频等方面具备优势，是材料端革命性的突破。SiC 击穿场强是 Si 的 10 倍，这意味着同样电压等级的SiC MOSFET 外延层厚度只需要 Si 的十分之一，对应漂移区阻抗大大降低；且SiC 禁带宽度是Si的3倍，导电能力更强。同时，SiC 热导率及熔点非常高，是Si 的2-3 倍。此外，SiC电子饱和速度是 Si 的 2-3 倍，能够实现 10 倍的工作频率。

与 IGBT 相比，SiC 可以同时实现高耐压、低导通电阻、高频三个特性。在600V以上的应用中，对于 Si 材料来说，为了改善由于器件高压化所带来的导通电阻增大的问题，主要使用绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）等为代表的少数载流子器件。IGBT 中，由于少数载流子积聚使得其在关断时存在拖尾电流，继而产生较大的开关损耗，并伴随发热。而 SiC 是具有快速器件结构特征的多数载流子器件，开关关断时没有拖尾电流，开关损耗减少 74%。

碳化硅的加入还可使得系统整体成本下降，以 22kW 双向OBC 为例，SiC 系统成本与 Si 相比，减少了 15%；同时能量密度是 Si 系统的1.5 倍，通过减少能耗每年可减少 40 美元左右的单位成本。

终端应用成就半导体大厂，碎片化场景下辅芯片更为受益

PC 时代——成就 CPU 龙头英特尔，竞争优势来自生态的建立

起步于内存，成就于处理器。英特尔成立于 1968 年，1971 年上市，早期以做内存为主，20 世纪 70 年代，内存市场占有率最高超过90%；20 世纪80 年代受日本企业低价策略冲击，公司经历内存危机；1985 年公司战略转型为处理器公司，1992年将处理器更名为奔腾（Pentium），同年营收约58 亿美元，成为全球最大的半导体公司。公司采用 IDM 经营模式。 “Wintel”联盟使英特尔在 PC 时代快速成长，“Intel Inside”家喻户晓。1981年 IBM 正式推出全球第一台个人电脑（PC）IBM 5150，采用微软的磁盘操作系统DOS1.0，配置英特尔 X86 架构 16 位处理器 8088；1985 年，东芝推出T1100，这款产品被其誉为“全球首款面向大众市场的笔记本电脑”。为了保持兼容性，大部分 PC 厂商采用微软的操作系统和英特尔的处理器，“Wintel”联盟在20世纪80 年代形成；1991 年，英特尔首次推出品牌标语“Intel Inside”，长期占据全球 PC 处理器 90%以上份额。

1986 到 2000 年英特尔成功转型，在 PC 时代迎接戴维斯双击。根据彭博的数据，随着 PC 推向大众，英特尔 FY00（财年截止日期：12 月最后一个周六）的收入是FY87 的 18 倍，净利润是 42 倍；2000-2011 年 PC 销量逐渐渗透完成，2011年销量达到历史顶点 3.64 亿台，FY11 英特尔收入和净利润分别是FY10 的1.6、1.2倍；FY21 英特尔收入和净利润分别为 790 亿美元、199 亿美元，是FY10的2.3、1.9 倍。从 PS 和 PE 估值来看，2000 年前整体呈上升趋势，在互联网泡沫期达到顶点，其中 PS 最高点为 1999 年的 5.6 倍，PE 最高点为2001 年的36.3 倍；2010年后 PS 估值区间为 1.5-3.5 倍，PE 区间为 7-15 倍。

1987 到 1998 年英特尔股价大幅跑赢纳斯达克指数，1999 年底股价相比1986年底涨幅达 95 倍。1987 年英特尔实现扭亏为盈，全年股价上涨89%，大幅优于纳斯达克指数下跌 5%的表现；1987-1998 年英特尔大幅跑赢纳斯达克指数。1999年为互联网泡沫时期，纳斯达克指数上涨 86%，英特尔仅上涨39%；截至1999年底，英特尔股价相比 1986 年底涨幅达 95 倍，而 2019 年底股价相比2010 年底涨幅为2.8 倍。

智能手机时代——成就手机处理器龙头高通，股价涨幅集中在通信标准确立的年份

将 CDMA 技术用于移动通信，3G 时代取代 GSM 成为主流。高通成立于1985年，1991年上市。1989 年公司将 CDMA（码分多址）技术用于移动通信，1990 年韩国与高通签署 CDMA 技术转移协议，CDMA 为韩国唯一的 2G 移动通信标准；1993年CDMA被美国电信工业协会采纳，成为行业标准。但从全球来看，2G 时代欧洲主导的GSM（全球移动通信系统）技术仍是主流。由于 CDMA 技术相比GSM 在通话质量、速率等方面具有优势，1999 年国际电信联盟将 CDMA 选做3G 技术，CDMA 技术成为3G时代的主流。 聚焦专利授权和手机芯片业务，成为全球手机芯片龙头。1999 年高通放弃手机业务和系统业务，专注于芯片技术研发，2007 年超越德州仪器，成为全球手机芯片第一大供应商，采用 Fabless 经营模式。根据 iSuppli 的数据，2007 年高通在全球手机芯片销售额市占率为 19%，2012 年攀升至 31%。根据Strategy Analytics，2021 年高通在手机基带处理器收入的市占率高达 56%。另一方面，由于掌握大量CDMA 技术专利，高通向通信厂商和手机厂商收取专利费，比如按照手机整机销售额的 3%-5%收取专利费。

1990s 标准形成期业绩估值双升，2002-2014 年随着智能手机普及进入业绩收获期。1990s 是高通推广 CDMA 技术的阶段，并于 1999 年取得标志性胜利。根据彭博的数据，高通 FY99（财年截止日期：9 月最后一个周日）的收入是FY93的23倍，净利润是 17 倍，FY93-FY99 收入和净利润的 CAGR 分别为69%、60%。同时，作为成功改写通信标准的挑战者，高通得到资本市场的高度认可，1999 年上涨25倍，PS 为 17.7 倍，PE 为 185.5 倍。2000 年后随着智能手机的快速普及，公司业绩继续增长，FY02-FY14 收入和净利润的 CAGR 分别为20%、29%，但该阶段估值呈下降趋势，PS 和 PE 分别由 2002 年的 5.5、43.4 倍降至2014 年的3.6 和11.0倍。

高通股价在 1999 年大幅跑赢纳斯达克指数，1999 年底股价相比1992 年底涨幅达118 倍。与英特尔 2000 年前连续跑赢纳斯达克指数不同，高通股价表现集中在有催化因素的年份，比如 1993 年 CDMA 技术被美国采纳，公司股价上涨119%，跑赢纳斯达克指数 104pct；1999 年 CDMA 技术被选为 3G 技术，公司股价上涨26倍，优于纳斯达克指数的 86%；FY04/FY05 公司净利率高达35%/38%，2004 年公司股价上涨 58%，优于纳斯达克指数的 9%；2008 年 iPhone 3G 发布使3G 手机逐渐成为主流，因此虽然 2008 年纳斯达克指数下跌 41%，公司股价仅下跌8%。公司股价上涨幅度集中在九十年代，1999 年底相比 1992 年底涨幅达118 倍，而2014年底股价相比 2002 年底涨幅为 3.8 倍，2021 年底股价相比2018 年底涨幅为2.5倍。

大数据时代——成就存储芯片龙头美光科技，擅长底部收购

存储芯片需求整体随数据量增加提升，但由于大宗属性存在明显周期性。1966年DRAM 由 IBM 发明，1970 年英特尔推出第一款成熟商用的DRAM 芯片C1103，之后TI、莫斯泰克等厂商入局，1987 年东芝推出全球首个NAND 芯片并于2007年提出3D NAND 架构。由于存储芯片具有大宗属性，产品可替代性强，又需要重资产投资，因此存储芯片具有明显的周期性，价格波动较大。

存储芯片从群龙混战走向寡头竞争，美光科技成为美国硕果仅存的存储公司。存储芯片竞争格局多次发生变迁：1970s，以美国企业为主，但市占率第一的企业从早期的英特尔变为后期的莫斯泰克，两家企业都曾占据全球80%以上的DRAM份额，1978 年莫斯泰克的员工出来创立了美光科技并于 1984 年上市；1980s，从美国向日本转移；1990s，从日本向韩国转移。1990s 后期到2010 年附近，随着存储厂投资额越来越大，规模效应对于抵抗周期风险越来越重要，存储厂进入产业整合阶段，退出、破产、兼并频发，包括 2009 年奇梦达破产、2012 年尔必达被美光收购，存储芯片进入寡头垄断竞争格局，主要参与者包括三星、海力士、美光、铠侠等。根据TrendForce的数据，2Q22美光DRAM市占率24.5%，NAND市占率12.6%。

收入受益数据量增加呈上升趋势，净利润和估值波动较大。随着PC、智能手机等应用的出现，数据量不断增加带动存储容量需求持续走高，公司收入在波动中整体呈上升趋势。但是存储价格周期性波动幅度较大，且固定资产折旧成本较高，公司净利润盈亏波动大，尤其在 2000-2012 产业整合期间。2013 年后随着寡头竞争格局形成，盈利的持续性有所改善，仅 FY16 略有亏损，但盈利规模仍波动明显。鉴于此，我们考察公司 PS 和 PB 估值情况，2000 年前估值较高，2000-2012年估值有所下降，2012 年后有所回升，2013-2021 年 PS 估值区间为1.0-3.2倍，PB估值区间为 1.0-3.8 倍，PS 和 PB 历史上最低值为2008 年的0.4。

美光科技擅长在行业低谷进行收购，之后随着存储价格上涨股价大幅跑赢纳斯达克指数。与三星逆周期建厂类似，美光科技通过逆周期收购实现低成本扩张。随着新增产能在存储价格上涨周期释放，公司股价明显跑赢纳斯达克指数，比如2013年公司股价上涨243%，纳斯达克指数仅上涨38%，费城半导体指数仅上涨39%。随着寡头竞争格局进入稳态阶段，大额收购机会相对较少，公司股价的超额收益在减弱，即使在 2016、2017 年存储芯片价格大涨的背景下也仅跑赢47pct、59pct。

算力时代——在 AI 和 GPU 互相成就的年代，英伟达成为大赢家

显卡领域的后起之秀，发明 GPU。英伟达成立于 1993 年，1999 年上市。公司成立时全球有 20 多家图形芯片公司，三年后飙升至 70 家。20 世纪80 年代的图形显示适配器仅具有图像输出功能，图形运算完全依靠CPU，首款具有计算能力的图形芯片于 1991 年由 ATI 推出。1995 年英伟达推出自己的首款图形芯片NV1，由于兼容性不足，销量不佳，公司陷入困境，这次失败使公司意识到市场的重要性；1997 年推出支持微软 Direct3D 加速的图形芯片 Riva 128；1999 年推出的RivaTNT2 成为性能王者，奠定公司显卡地位，同年发明GPU，启用GeForce 品牌推出的全球首款 GPU 产品“GeForce256”具备硬件 T&L 处理能力，可降低CPU负载。将 GPU 的应用从图形图像处理推向通用计算，英伟达成AI 时代大赢家。2000年公司发布全球首款笔记本 GPU，并于年底收购 3DFX，成为显卡市场全球第一。2001年提出“黄氏定律”，即英伟达产品每 6 个月升级一次，功能翻一番。仅用作图形图形处理的 GPU 天花板有限，同时 CPU 在高算力时代力不从心，21 世纪初期英伟达有意将 GPU 推向通用计算。2006 年公司推出通用并行计算架构CUDA（ComputeUnified Device Architecture），使 GPU 能够解决复杂的计算问题；2012年ImageNet 计算机视觉识别比赛冠军使用了英伟达的GPU，充分展示了GPU在AI计算中的潜力；2015 年搭载 TEGRA X1 的 NVIDIA DRIVE 问世，NVIDIA 正式投身于深度学习领域。在 AI 和 GPU 互相成就的年代，英伟达成为大赢家。

2008 年受显卡门事件影响，2015 年后在 AI 产业化趋势和比特币挖矿潮中迎戴维斯双击。2000 年前后公司在显卡领域战胜竞争对手，随着2006 年ATI 被AMD收购，公司成为唯一一家仍在独立运营的 GPU 公司。在2008 年显卡门事件之前，公司发展态势较好，根据彭博的数据，英伟达 FY08（财年截止日期：1 月最后一个周日）的收入是 FY99 的 26 倍，净利润 193 倍，FY99-FY08 收入和净利润的CAGR分别为 44%、79%。由于 2008 年推出的 GPU 产生高温高热，导致花屏、白屏甚至无法开机，公司 FY09-FY10 出现亏损，FY10-FY16 业绩逐渐恢复。2015 年基于深度学习的人工智能算法在图像识别领域的准确率首次超过人类肉眼，AI 开始走出实验室，进入产业化。公司 FY16-FY22 收入和净利润的CAGR分别为 32%、59%，估值也在 AI 浪潮和比特币挖矿潮中快速走高，PS 和PE分别由2015 年的 3.6、24.2 倍提高至 2021 年底的 36.6 和103.7 倍。

英伟达股价在 2008 年前和 2015 年后大幅跑赢纳斯达克指数，2021 年底股价相比2014 年底涨幅达 60 倍。公司作为显卡领域的后起之秀，2000 年底收购对手3DFX成为行业第一，2006 年对手 ATI 也被 AMD 收购，1999-2007 年是公司行业地位不断提高的阶段，公司股价长期跑赢纳斯达克指数，即使在2000 和2001 年互联网泡沫时期，公司的年涨幅分别达 79%、329%。2008 年在显卡门事件冲击下，公司股价大跌 76%。2015-2021 年公司持续受益 AI 应用、比特币矿机对算力需求的增加，股价再次长期跑赢纳斯达克指数，2021 年底股价相比2014 年底涨幅达60倍。

碎 片 化 场 景 — — 辅 芯 片 更 为 受 益，德州仪器、英飞凌股价在2015-2021 年间表现较优

半导体需求由单品推动转向多点开花，辅芯片更为受益。从需求侧来看，半导体过去最重要的推动力来自 PC 和智能手机，根据 IDC 的数据，两者年销量的峰值分别为 3.6 亿和 14.7 亿。单品推动背景下，单机价值量最大的主芯片成为最大赢家，早就了英特尔、高通等全球巨头。在智能手机之后，尚未出现单品过亿的大终端，TWS 耳机虽然 2021 年销量达 3 亿台，但其仅是配套设备；汽车虽然有望成为下一代终端，但其全球销量不到 1 亿台，难以成就单芯片厂商。我们认为，TWS耳机、汽车、智能家居等都只是碎片化的物联网中的一部分，该阶段最明显的特点便是半导体需求多点开花，以模拟芯片、分立器件等为代表的辅芯片更为受益。德州仪器和英飞凌在聚焦汽车和工业市场后跑赢纳斯达克指数。与PC需要的CPU、手机需要的处理器等主芯片不同，模拟芯片、功率器件等属于辅芯片，单颗价值量不大，但应用范围和所需数量较多。除 PC、手机等大颗粒市场外，更广泛的应用于工业自动化、物联网、汽车电动化智能化等碎片化场景。德州仪器和英飞凌均在 2010 年后逐步聚焦汽车和工业市场，其中德州仪器在2012 年出售以手机和平板为导向的 OMAP 芯片业务，2013-2017 年大幅跑赢纳斯达克指数。英飞凌也在2012 年出售手机芯片业务，2015-2017 年大幅跑赢纳斯达克指数。

碎片化应用场景的公司股价在 2015-2021 年间表现较优，在2002-2014 年间表现弱于手机芯片厂商。2015 年全球智能手机销量同比增长10%至14.4 亿部，之后进入个位数增长甚至负增长，我们以 2015 年为分界线对比以手机、PC 大颗粒市场为主的公司和以工业、汽车、物联网等碎片化市场为主的公司。可以发现，2002-2014 年，以高通、思佳讯为代表的手机芯片厂商股价表现较优；2015-2021年，以意法半导体、德州仪器、英飞凌为代表的辅芯片厂商股价表现较优；英特尔由于集中在 PC 市场，在这两个阶段表现均比较一般；英伟达由于抓住了超算的需求，在两个阶段表现均较优，尤其是 2015-2021 年涨幅远高于其他公司。

2015-2021 年德州仪器股价的月涨跌幅波动较小。通过分析2015-2021 年英特尔、高通、英伟达、美光、英飞凌、德州仪器、意法半导体七家半导体公司的月涨跌幅情况，可以发现德州仪器波动幅度较小。从最大月涨跌幅来看，高通最大月涨幅达 51%，美光最大月跌幅达 33%，德州仪器最大月涨幅和最大月跌幅分别为16%和 13%，均远小于其他公司；从标准差来看，德州仪器最小，英伟达最大，代表德州仪器月涨跌幅波动较小；从月涨跌幅的中位数来看，英伟达为5.5%，远高于其他公司，剩余公司中意法半导体、德州仪器、英飞凌相对较高，分别为1.8、1.5%、1.4%。

我国半导体产业进入兑现期，通过拓展能力圈转向高质量发展

我国半导体发展历史

我国半导体产业发展历程可分为四个阶段：

1950s-1960s，我国晚于美国涉足半导体产业。1956 年研发出我国首只晶体管，晚于世界首只晶体管 9 年；1965 年研发出我国首只硅基集成电路，晚于世界首只集成电路 7 年。

1980s-1990s，政府主导，由国企通过合资企业引进技术。该阶段比较重要的包括 1986 年的“531 战略”、1990 年的“908 工程”、1995 年的“909”工程。其中 531 战略的目标是普及 5 微米技术、研发3 微米技术，攻关1微米技术，落实南北两个微电子基地，南方集中在江浙沪，北方集中在北京；908 工程要建成一条 6 英寸晶圆生产线，由无锡华晶承担，但由于审批、技术引进、建厂等环节拖延，2001 年才完成验收，投产即落后；909 工程要建成一条 8 英寸晶圆生产线，由上海华虹承担，也于2001 年完成验收。该阶段，国内初步具有一定的半导体生产能力，但对技术的吸收有限。

2000s-2010s，众多海归回国创业，但半导体产业发展受质疑。该阶段在硅谷从事半导体行业多年的人才开始回归创业，包括中芯国际、圣邦股份、兆易创新、澜起科技、汇顶科技等，国内半导体发展势头较好。但是随着2006年汉芯造假曝光、2003-2009 中芯国际在与台积电专利诉讼中失利等负面事件的影响，国内半导体产业发展受到质疑，政策和资金支持力度有所减弱，在摩尔定律背景下与国外的差距也进一步加大。

2010s 至今，美国限制加速半导体国产替代。2014 年我国印发《国家集成电路产业发展推进纲要》，设立国家集成电路产业投资基金，开始重新大力支持半导体产业。2018 年中兴通讯事件开始，美国对我国企业的半导体限制逐渐加大，华为、中芯国际等公司先后受到影响。在此背景，手机、家电、工业、汽车等国内终端厂商重视供应链安全，加速国产半导体导入，上一阶段成立的半导体企业获得了快速导入的窗口期。

我国半导体自给率仍偏低，资本市场助力企业发展

我国集成电路产值 2010-2021 年的 CAGR 为 20%，其中设计产值占比提高。根据CSIA 的数据，我们集成电路产值从 2010 年的 1440 亿元逐年增至2021 年的1.05万亿元，CAGR 为 20%。其中 IC 封测产值的占比从 2006 年的51%降至2021 年的26%；IC 设计产值的占比自 2016 年首次超过封测，2021 年占比为43%；IC 制造产值的占比 2011 年最低降至 22%，之后逐年回升至 2021 年的30%。虽然我国集成电路产值不断增加，但净进口金额仍在攀升，2021 年达 2788 亿美元，创新高。

2021 年中国本土芯片产值占本土市场需求的比例仅16.7%，总部在中国的企业占比仅 6.6%。根据 IC Insights 的数据，2021 年中国芯片市场规模为1865亿美元，本土芯片产值仅 312 亿美元，自给率 16.7%，相比 2011 年仅提升4pct。而中国本土芯片产值中还包括总部不在中国的企业，总部在中国的企业产值仅123亿美元，在本土芯片产值中占比 39%，自给率仅 6.6%。IC Insights 预计到2026 年中国芯片市场规模将增长到 2740 亿美元，2021-2026 年的CAGR 为8%；本土芯片产值将增长到 582 亿美元，2021-2026 年的 CAGR 为 13.3%；自给率提高4.5pct 至21.2%。

SW 半导体收入增速在 2018 年触底后回升，2021 年底市值达3.19 万亿元。根据Wind 的统计，SW 半导体公司合计收入增速在 2018 年行业下行时仅8%，远低于2016、2017 年的 41%和 38%；2019-2021 年随着行业需求恢复和国产替代逐步兑现，收入增速逐年提高，2021 年为 37%，合计收入达 3439 亿元。随着上市公司数量增加以及收入的增加，SW 半导体公司合计市值在 2019-2021 年间快速攀升，2021年底市值达 3.19 万亿元；2022 年市值有所回落，截至2022 年11 月11日，SW半导体上市公司数量为 120 家，合计市值为 2.88 万亿元。

半导体上市公司成立时间集中在 2000-2010 年，上市时间集中在2020 年及以后。截至 2022 年 11 月 11 日，SW 半导体上市公司合计120 家，其中20 家成立于1987-1999 年，73 家成立于 2000-2010 年，27 家成立于2011-2017 年。从上市时间来看，1995-1999 年上市 4 家，2000-2016 年上市22 家，2017 年、2019年各上市 10 家，2020 年、2021 年分别上市 21 家和 17 家，2022 年截至11 月11日上市36 家。

与全球龙头企业相比，我国封测环节差距最小。通过对比A 股半导体产业链上市公司和对应的全球龙头企业，可以看出我国封测环节差距最小，长电科技2021年的收入和净利润体量超过艾马克技术的 70%；功率器件方面，闻泰科技通过收购安世半导体缩小了与英飞凌的差距；EDA、半导体设备、模拟芯片、晶圆代工国内龙头不到全球龙头的 10%，CPU/GPU 这类具有生态属性的产品差距更为明显，不到 1%。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

精选报告来源：【未来智库】。「链接」

2.惊艳！联想 ThinkVision X27q（多图杀猫）

前言：

2016年6月6日，联想旗下显示器品牌ThinkVision在北京召开新品发布会

推出了“史上最顶尖的ThinkVision X1 ；史上最时尚的ThinkVision X24 Pro；史上最“弯”的Lenovo Y27”三款颜值爆棚的显示器（这次发布会上X27Q没有出现），ThinkVision从ThinkCentre的配属一跃而出，以独立姿态出现在消费者眼前（ThinkCentre为THINK的商用系列电脑，而ThinkVision为商业显示器，是ThinkCentre系列的的标配）

ThinkVision追根溯源，其前身应该是1981年 IBM推出了世界上第一款PC：IBM PC 5150的显示器，对，就上上面的那个老家伙！而其自身的发展史也是相当的惊艳！下面摘自互联网：

l 1987年：IBM创造了世界上第一台彩色VGA分辨率的VGA接口显示器。

l 1993年：世界上第一台通过Energy Star能源之星的PC显示器

l 2008年，ThinkVision订制EPEAT Gold能源功耗标准认证。

l 2009年，ThinkVision联合瑞典专业雇员协会TCO组织，推出了TCO edge标准。

l 2012年，ThinkVision联合德国莱茵集团TUV与微软Microsoft，推出全球首款通过Lync认证的VIOP显示器。

l 2013年，ThinkVision造出了自己历史上最为专业的一台显示器——30英寸，备有遮光罩，色域超过99%Adobe RGB的ThinkVision LT3053p显示器，对应专业制图与专业影音领域。

l 2016年，ThinkVision与德国莱茵集团TUV共同制定了关于多维度护眼的显示器标准Eye comfort

而今天的猪脚ThinkVision X27q应该属于ThinkVision今年发布的第5款显示器

联想及Think产品总设计师（Chief Design Officer） David Hill，这个系列的产品都是由他带领的设计团队倾力打造，“我们所有产品的设计哲学，是形式与功能的紧密结合。大多数设计师都过于关注产品的外观，我们尝试一种新的二者相互促进的方式，因为仅仅考虑外观，而不考虑产品如何工作是无法进行设计的，这一理念会应用在我们所有设计的产品中。”这句话，在这个系列的产品中都得到了完美的阐释。

大妈的众测很给力，到目前为止，将ThinkVision系列的 X1 和 X27q两款产品都给网罗了进来。接下来就由幸运的spiderkk为大家分享一下ThinkVision X27q的惊艳吧。

引子：

11月16号晚上18:00收到了张大妈客服的电话，询问是否收到了短信？要不要参与联想 ThinkVision X27q 显示器的众测，回答当然是了！然后再翻看了短信，就看到上面的信息。心情那个…………！

感谢张大妈，感谢联想，感谢辛苦筛选的工作人员，感谢…………

惊喜还没完，第二天18:00，就接到顺丰的电话，这真是速度最快的一次众测收货，从得知自己中标，到收到显示器，不到23个小时！真的是极速达！再次感谢发货的工作人员！

开箱：

好大一个箱子，抱着回到了家，纸箱很厚实，体积也非常的大。

箱体上面有一张机打的表格，大概研究了一下，从电话区号查到应该是从福建发货到北京，然后直接又转发过来的，“SUPPLLER（ 供应商） ： AOC（冠捷）”，看来应该是AOC代工的，百度了一下，AOC在福建福清的确有工厂。

箱子两面封口处都有顺丰的封口贴，这点很贴心

打开外包装，跳跃的THINK就东倒西歪的出现在眼前，这款主题也是出自ThinkPad的传奇产品设计师David Hill。五个字母给人感觉活泼跳脱，是否寓意着Think本身就是一件有趣的事？

内外包装之间，还塞着泡沫塑料，长途运输还是很是保险的。

1级能耗，关闭显示器时0.5W的功率，待机1.2W……什么时候能把关闭显示器做到0W功耗？必须断电才行吗？

另一面的标识，20W的电压，2.25A电流，这样算下来是45W的功耗，不过带上开关电源的损耗，整体应该不会超过50w的功率吧，还是非常的节能！

联想自家的封口贴

开封，很贴心的设计，四幅图详细说明了显示屏及其配件的放置位置和的取出方法。

第一层，从左往右，从上向下分别是开关电源，底座，电源线，支架，说明书，配线

配线两根，一根hdmi，一根标准DP线

电源线做工很精致

交流端接头是圆三孔！

直流输出和开关电源是一个整体

输入电压为100-240v，1.2A 全球电压；输出20V，2.25A

直流输出为方口，黄圈很醒目！

交流接入端，三孔插座。

开关电源长9.2cm

宽4cm

高2.9cm

直流端线长78CM*2 总长156CM，还是很够用的。

总重162.7G，很整体很是轻巧。

显示器自带一根HDMI线和一根DP线，HDMI没有什么特别之处

DP也是做的中规中矩

线头上有DP的标记。

DP的线径6.53mm，软硬适中。

底座是个正圆形，支架的接口靠近一个边，整个底座在支架接口处最高，然后呈锥状像圆边倾斜。放在平面上很是稳固。

底板最高处14.81mm

最薄的地方大概4mm

底座的直径为235mm

本来想拆开看看，不过螺丝拧下来发现面板和底板之间的连接除了螺丝外，还有热熔的触点，没法拆下，就作罢了

底板和固定螺丝总重 787.8g

漂亮的底板支架，电镀做的光可鉴人！

红色的理线卡，是个亮点，上面有LENOVO的LOGO

连接显示器的接头也是金属的卡片，很厚实

支架为实心的，直径为11.92mm

支架底部的卡扣，内部有丝孔，底部为了配合底板车出了卡槽。

很是有分量！364.7g

底板上有和支架配合的卡槽，安装后支架就不会旋转了。

固定螺丝的槽刚好是一个1块硬币的厚度，可以直接用硬币当螺丝刀拧上。自带的钢丝圈也可以拧，不过强度有些不够。

螺丝拧上去就把底座安装好了！这款显示器的亮点之一！

取出第一层的泡沫，显示屏面板就显现出来了

外面一层保护膜，上书各种禁止和危险。

去掉保护膜就看到面板的真容！ThinkVision的标志性磨砂面板，漂亮的漫反射，虽然没有镜面的高光，但看起来绝对舒服。

如果是镜面的反射就可以映出上面的灯头了，但这里只能看到模糊的光源。个人感觉亚光的反射效果看起来最舒服。

ThinkVision黑底，白字，点睛的红点！很漂亮的LOGO

超窄的边框，目测应该只有2MM左右，不过边框和液晶面板的缝隙较大

普通的打印纸，折三折也能塞进去……

长61CM

宽37cm

对角线长约70cm，695/25.4=27.3寸，实际显示尺寸符合27寸的标准。

显示器的底部一长溜，是显示器的详细标识。2016.9.23号出厂，很是新鲜。然后是输入的电压电流还有制造商地址等

接下来是一堆标识！

显示器的背面接口比较简单，正上方是显示器支架的卡槽，右侧从上到下是电源，耳机，HDMI接口和DP接口，最下方有个钢丝锁接口。

显示器支架安装卡槽，主要是靠下面的两个卡子来进行固定，可以用手压下，卡子就下沉，这时可以轻松将支架取下或装上。

对准上面的三个槽

可以直接将显示器支架按上

扣上后严丝合缝，搬开后可以轻松取下。

合体后的样子！漂亮吧！超大面子，纤细的脖子，稳固的圆座。

显示器左下角是THINKVISION的LOGO（这两张图是最后补拍的）

右下角是调整显示器的按键和电源指示灯。

侧面，稳固的三角形！

显示器最薄处16.19mm

最厚处40.58mm

显示器背面整体上面没有任何散热孔，只有左上角有一个银色的LENOVO LOGE，看起来很是简洁清爽，作为商用机，背面对着顾客看起来也相当的漂亮，背面的设计整体可以分为三部分，上半部分占整个显示器的2/3，是平板状的，只有16.19mm的厚度，下半部分1/3呈圆弧形突起，支架和接口都集中在此处。

躺下可以看清楚圆润的弧形设计，最厚的地方也只有40.58mm。

显示器向下俯角很小

仰角角度数相对较大！

PS合成一张，可以看显示屏的活动角度。

再来看一下雾面屏的反射效果！到这里开箱就结束了。

里面有什么

仔细检查了一圈，只有在支架槽里有两颗螺丝！

拆掉

在显示器的右下角，发现了机关！对，就是这个缺口

平口螺丝刀就是钥匙，插进去一拧，就开启了第一步

立起来，顺着缺口扩大战果

中间没有什么阻碍

在按键开关处要注意，别伤着电路板

再放平，接着向上拆，中间都是这样的卡槽

一圈全拆开了，全程无螺丝都是卡槽设计

当当当当！哈哈！可以看到显示器内部的结构了！这么简单！几乎没什么东西！

先看液晶面板，咨询了一下百度，应该是友达生产的屏幕

标签上是M270DAN02.5 的版本，没找到具体的参数，不过找到了M270DAN01.0的，应该相差不大

a-si tft-lcd：a-Si(非晶矽)TFT (薄膜场效应晶体管)LCD(液晶显示器)

AHVA：友达的一种广角屏，本质上可以看成是ips技术的改良版，但是因为IPS阵营以日立为首，包括了LG、奇美等厂商。为了规避技术专利风险，所以叫了这么个名字。同理的还有三星的PLS

LGP（导光板类型）PMMA （亚克力）。FRAME PC-GF10FR(40) 边框材质为PC-GF10FR(40)

电路板和液晶屏之间的数据线套了金属屏蔽，防止信号干扰，这样既轻巧，又节约材料

接入控制电路板的接头

上面的彩色接头个人认为是LED背光灯的，下面的白色排线是控制按键的。

另一端的接头，进入控制电路板。

控制板的材质 ABS

所有的排线都是用双面胶贴到液晶屏背面，中间的金属盒子就是控制电路了

不过这个屏蔽盒子竟然是用铝箔贴到底板上的……

揭开铝箔，就将控制盒取下来了，在视频接口处有一颗螺丝

翻过来，还有四颗

取下螺丝后就可以看到这块控制板的真容，从整个电路板上的布局上看，规划很的很漂亮。

主芯片是瑞昱半导体的RTD2785R ，详细的资料在度娘上没有找到！期待高手解答

来两张特写，高手可以出来指导一下

屏蔽盒的材质应该是镀锌铁皮，做工不错

盒子上还打上了钢印

接着来把中框拆下来看看，一圈一共9颗螺丝固定

拆掉后就可以将中框取下

液晶面板的零件合影，中框和后盖除外，就这么简单。

雾面屏的液晶面板

下方是压了一小段金属

翻过来，揭开液晶板下方的铝箔纸，就可以看到液晶屏的电路板

auo友达的标志，这里显示的版本和外面贴的又有些差异，M270DAN02.0

液晶面下有自己的编号钢印，电路板上用的是自家的通讯芯片。

来两张近景

来看看边框的厚度，就是2MM左右

把控制电路板的屏蔽盒再贴回去

连接显示控制线

数据线的接头有卡子，捏紧两端，就可以将卡子收回，安装和取下的时候要注意这个。

两条数据线安装完毕

接着安装底部面板

卡子按到底就OK了

翻转过来，将排线和接头连接好。

再看看背板，有详细的标识

材质还是ABS的

并有详细的生产周期

在支架凹槽的背面，贴着详细的标签

显示器顶端的卡槽

底部的卡槽，显示器的合体就是靠这些卡子来固定的

顺序在卡子上方使劲，咔吧咔吧的就将显示器组装完成。

严丝合缝，拆解部分就到这里了。有些遗憾的是背板上没有预留专用的挂墙支架固定位置

上电实测！

先接电源和DP线

DP线上也有个小机关，看到那两个倒齿了吗？

插上拔出时都需要按下，让它缩回去

x27q的背面接口设计也照顾到了DP线拔插的这一点，没有把DP和HDMI设计成并排的，而是设计成T行的，HDMI横在上面，DP在下方竖着，这样拔插都不影响。

红色的整理线卡很轻易的就可以穿过显示器支持的接头，如果是VGA或者DVI的就不行了。电源线自带的线扎直接固定好。整体背面很清爽。

这次配合2k的分辨率，用的是EVGA的gtx960，接口也是比较丰富，把HDMI和DP都插了上去，这样就可以扩展出两个桌面，然后可以通过显示器上的按键切换显示桌面……

来看看测试用的机器，机箱也是众测的产品 》》紧凑型设计----Fractal Design Node 202 Slim 机箱众测报告

#我的显卡# 从98年的耕升savage 3D—15年的EVGA GTX960 2G...目前正在服役的显卡，购于15年的狗东618活动，说起显卡，个人感觉随着技术的发展，普通的办公娱乐应用，CPU集成的其实就够用了，如果只是看看高清片子，玩玩简单的小游戏，压制一...31830 spiderkk

显卡的相关评测！感兴趣的可以去看看！

显示器的功率就用这个来检测了

未开机状态下，功耗是0.51W，这个就是插着插座的功耗，看来不用的时候还是断电的好些！

显示器开机，在监测输入信号未果后直接进入待机状态

这时功耗是8.55W左右

开机，进入系统，大面子还是过瘾啊！

开机后功率29.05W，在使用时多次观察，从26.72W到29.05W上下浮动！的确是很是节能。

开机后自动检测到两台显示器！哈哈，这就是HDMI和DP线都监测到显示器的信号了。分辨率自动识别，并设置到2560*1440.

显示器识别出两个输入选项，默认的是HDMI，可以通过左右键进行切换，这点要赞一下，下面的按键如果在黑暗的情况下是不好识别每个按键的作用的，而菜单调出来，最下面的一行显示的就是每个按键的图标，可以很方便的选择。不过也会造成一些误导，会不由自主的伸手去按……

默认分辨率下，张大妈的网页……，这是可以并排显示三个的节奏啊！

超窄边框，实测液晶板上大概有4mm左右的黑边，加上和外框的间隙，还有外框的厚度，一共是7.69mm左右

上边框6.75mm

整个显示器底边离桌面高度是92.55MM

接下来测试一下显示效果，因为没有蜘蛛校色仪之类的专业检测工具，而且这款显示器定位也应该属于普通商用民用，个人感觉一般的用户也不会纠结这个，但显示器到手，有没有坏点漏光的情况如何还是要大致检测一下才能到心里有数，这里就推荐了两个网页版的测试工具》》在线屏幕测试 或者》》在线屏幕检测

先是坏点检测，检查像素点是否有暗点或者亮点，用各种颜色来检查，红，绿

蓝，黄

青色，洋红

黑白屏，看来联想的品控还是相当的不错，没有发现亮点或暗点，白屏的亮度均衡也不错，没有明显的色块存在。黑屏检测时边角有些漏光，不过实际的漏光情况没有照片上这么厉害。

水平线测试（为了避免上传后自动缩放，直接把图片尺寸调整到了600的宽度，右侧的是原始1:1的显示效果。）

垂直线效果！（水平线和垂直线还有下面的正斜线、点阵测试主要是测试模拟信号的干扰水平，画面稳定的显示设备更佳。这里用的是DP数字信号输入，而且x27q直接取消了模拟信号输入，所以这几个测试对于此款显示器来说作用不大。）

正斜线效果！

点阵效果

方形网格和彩色网格！这两个测试是针对CRT显示器以及投影仪的对焦已经变形的问题，通过检查线间宽度和平整度，还有颜色等，在CRT显示器上或者投影机上靠近屏幕边缘会出现一些变形的问题，可以通过OSD设置菜单进行微量的调整。

对比度(暗) 用于测试屏幕的对比度，一般的非专业显示器无法区分最后一行的色块边缘，不过这款X27Q的效果非常好，能将40个灰度色块清晰的显示完全。

对比度(亮) 这个和上面的刚好相反，是在全黑的背景下，检测亮块的显示效果，一般的非专业显示器无法区分第一行的色块边缘。实际效果仔细看还是能分辨出来的。

各色渐变测试，用于测试显示器的色彩平滑程度，颜色过渡平滑的显示设备更佳。拍照的效果没有实际效果好，实际效果表现非常不错。

最后是饱和度检测，用于测试屏幕的色彩饱和度，实测效果颜色过渡非常平滑。

显示角度检测，一共拍了5张图，在PS里合成了一下，显示效果非常不错，IPS屏，可视角度都符合标称。

接下来又搬了两台显示器来做个对比，从左到右分别是三星的S19b360，AOC的210V，最右边就是这次的主角X27Q，从大小可以一眼就分辨出来。

三星显示器用的是LED的背光，TN面板，亮度是250流明，刚从210V过度过来会很不习惯，感觉有些刺眼，而AOC的210V使用的是CCFL背光，TN面板，亮度300流明，看起来比三星的要亮一点，但实际使用效果感觉比LED的背光舒服些！

网上找了两张AOC 210V的拆机图，可以看出led和CCFL光源的区别，因为CCFL必须要高压点亮，所以电源这块要大好多，相对的功率也大。

两种光源的区别，上图是CCFL，下图是LED，网上有很多将CCFL光源更换LED的教程，感兴趣的可以自己搜一下，不过换完光源后，需要对色彩进行校正，这个要注意一下。

检查过没有问题，再来优化一下显示，其实普通用户不必非要红蜘蛛之类的专业校色仪，而相关的校色软件在WIN10上自带的就有！具体调出方法可以参考一下这篇百度经验》》win10系统显示器颜色怎么校正

X27Q显示器的出厂默认设置，几乎就不用动，这里把数值调整到最高和最低让大家看看实际的效果。

接下来是对亮度进行调整

默认的亮度是80%，可以适当的调低些

然后是对比度调整

这个默认值也相当不错，可以直接忽略过去

接着是色彩调整，一下是个人理解：大家都知道，所有彩色的光迭起起来就是白光，这个和水彩体系刚好相反，而显示器的显示就是靠这个原理，显示器的各种色彩是靠红绿蓝三色叠加产生的。，所以三种颜色平衡状态下，根据亮度不同会显示从白到黑的灰度，而调整三种颜色达到一个平衡标准后，就不会偏色，WIN10这个色彩调整利用的就是这种原理。这段是个人理解，如有错误，请高手指正

显示器的默认效果，根本不用调整！

校对完成！保存设置就OK了，还可以和未校对前的配置进行对比。

接着就是优化文本显示的设置

按照提示一步一步来，找出最好的显示设置

每步都是默认的最优显示，没有进行调整

最后保存，就完成了设置，接下来看看具体的显示效果，针对文字的显示，其实上面的这几步就已经看出字体显示的效果。而针对色彩，下面找了几张桌面，来给大家展示一下。

好，这里就看看实际的比较结果，拍照用的是D90，不过由于自动对焦和手持的问题，拍出的效果有些差，不过贵在是在同场景下同时曝光，这样做出的比较也相对公平客观。正面显示相差不大，但一旦有角度，就对比明显了。

X27Q因为是IPS屏，所以在各种角度表现的情况都一致，而三星和AOC的因为是TN屏，所以一旦变换拍摄角度，差别就比较明显了。

尤其是这张

在看看纯色的色块表现，海贼路飞

绿色

各色水果切片！

人像肤色显示

暖色调，整体感觉上X27Q还是最漂亮的，尤其是在不同角度的表现，如果是坐在显示器边上看，区别还不是太大，但对于27寸的尺寸，远离显示器来看电影，这个角度的问题就比较突出了！AOC和三星的TN屏就必须要调整角度了。而X27Q却不用这么麻烦。

总结：

显示器评测很多都是用专业数据来说话的，但作为一个普通玩家，考虑的不是数据，而是实际的显示效果，浏览网页，看视频照片，玩玩游戏，轻度使用PS PPT等软件，所需要的并不是专业的数据，而是真实的体验，这篇评测就是以一个普通使用者的角度来进行的。当然，拿到显示器，有条件的，可以用红蜘蛛之类的专业校色进行调整，做到更精确，没条件的，也可以用上述的系统自带软件，简单的检测校正一下，眼睛舒服，使用方便是最重要的。

个人感觉联想的这款显示器整体效果很不错，外观设计是个亮点，显示效果也相当的惊艳，实际体验上，只是在默认的各项设置的基础上，稍微将亮度降低了一点，就感觉非常舒服。27寸的尺寸，带来了宽大的显示面积，而2K的分辨率不仅提升了桌面的可用面积，又照顾了普通显卡的支持能力，虽然听起来没有4K的分辨率来的更精细，但综合性能，价钱，显示效果等方面，还是具有着很高的性价比，模块化的设计，在后期维修上也非常的方便。

需要吐槽的是，带了音频接口而没有自带音箱，输入接口相对较少。显示屏没有预留安装壁挂式支架的接口，没有USB的扩展插口。其他的就真挑不出毛病了，真心喜欢这次的众测商品。给它一个评价就是惊艳！！！

好了，最后期待下一个众测的机会早日到来。

风暴兵乱入：

风暴兵再次出场，这次是当背景用的

对话……看出来了吧，背景就是X27Q上显示的效果。

再来一个向前进！

拉远……就明白如何拍摄了，这个只是块砖头，抛出来让大家借鉴，希望能引出玉来，可以找各种图片当做背景，给LEGO人仔等小物件当做背景，或者全白当背光也是一种不错的方法！

3.OLED的未来已来？

目前，LG是世界上最大的OLED电视和大型显示器的制造商。尽管也还有其它几家从事OLED研发的公司，还有一些只生产少量较小尺寸OLED屏幕的公司（如三星移动显示器公司），但LG显示器公司已经决定将其所有芯片用于电视机生产。

鉴于亚洲的LCD显示器制造厂已经过剩，同时LCD电视的成本也在大幅下滑（主要是由于中国在市场中的优势日益增加），LCD面板制造业和电视业将很快成为零和游戏。这就是为什么东芝、日立、三菱和松下等传统品牌已经退出了消费电视市场，因为这里已经无利可图了。

因此，对OLED的大量投资就是一场豪赌，特别是因为应用该技术的电视机的价格要高于同等尺寸的LCD电视机。目前，使用OLED技术的55英寸Ultra HDTV的售价在2000美元到3,000美元间，浮动取决于是否在特卖或促销。

有一些观点在这里很有用。回到20世纪90年代中期，一台50英寸的720p / 768p等离子电视可以让你破费25，000到30,000美元。然而，时代变了。在2013年等离子制造业停产前，一块50英寸1080p的具有“智能”功能的显示器只能以500美元低价出售。因此，我们有理由假设当市场需求增长时，我们会再次面对价格下行的压力。

OLED的显示技术与LCD非常不同。实际上，它与CRT和等离子有更多的相同之处，因为它使用的是发射色彩像素阵列（加上较高亮度的白色像素）。它的发射结构不会遇到曾困扰LCD技术的那些问题，例如，当离轴观看图像时的对比度变平和颜色去饱和度的问题。OLED的“堆叠”也比LCD薄得多。事实上，如果是新型的LG“壁纸”OLED显示器的话，它的厚度只有2.5mm。

因为OLED像素也可以在塑料表面上形成，所以我们可以创造一个新型的完全不同种类的柔性显示器。我曾经不止一次提到过：世界上最大的显示器市场就是运输业。想想那些运送货物和人员的交通工具—船、火车、飞机、汽车、卡车、地铁等等。重力和持续的振动是这些显示器在应用中面对的两个最大的威胁。通过使基板变得更薄更灵活，我们可以最大限度地减少两种威胁的长期影响。而且OLED的图像显示质量也非常优异。OLED从黑色（静止状态）慢慢地变成全白色的整个过程是非常可预测的，这些都是低电压器件，毕竟它可以用非常低的亮度值来显示图像，而不会受到LCD的高黑度的限制。

要注意的一点是， OLED（像任何其他发射型显示器一样）具有实际亮度的限制。对于一块全白屏来说，亮度范围只能在100cd/m2到200cd/ m2内，然而，有10％的显示窗口的亮度可以达到约500cd/m2。相比之下，那些配备量子点的LCD电视可以达到超过1,000cd/m2小面积亮度峰值。

虽然当你在明亮的房间中浏览图片时，您可能需要更高的亮度，但在黑暗的房间里或在晚上，500cd/ m2的峰值亮度就已经足够了。而OLED显示屏具有可以使阴影细节呈现近似纯黑（接近于0.0005cd/m2）的能力，这意味着它们可以显示出高动态范围的图像，光点可以在近乎黑色到100％白色之间渐变。

另一个关键点是，不同OLED颜色的微分老化问题已经把像我这样的显示屏分析师们困扰了很多年了。尽管绿色和红色显示出具有可以接受的半衰期，但蓝色一直是一个挑战。厂家使用了一种组合两种掺杂化合物得到的白色OLED发射器。一个本身发出蓝光，而另一个发出黄光。它们混在一起发出白光，然后RGB彩色滤光片完成了最后的封装。

尽管这种组合的效果非常好，但是为了提升亮度，厂家为每个红、绿、蓝的组合各添加了一个白色像素。因此即使使用了白色OLED发射器，它仍然有一个蓝色的组分在里面。蓝色材料的老化速度比黄色材料要快，这似乎是合乎逻辑的。

有人曾向厂家的图像质量开发部门提出了这个问题，问他随着时间的推移，蓝色掺杂的化合物是否存在可测的衰变。他的回答是，在这种衰变发生之前，白色OLED发射器应该已经持续工作了2万小时了，在那个时候，整个OLED阵列可能只能达到初始亮度的50％。

如果你是一个显示器爱好者，你就知道发射型显示器一向提供最好的图像 - 明亮，饱和的颜色，双轴宽视角，低黑度和出色的对比度。随着时间的推移，我们已经在电影（透射）、CRT电视（发射）、背投电视（透射）、等离子电视（发射）、液晶电视（透射）中循环往复了很多次了。

随着OLED技术的广泛应用，我们又转回了发射型显示器这条路。而且，如果您需要任何令人信服证据证明发射型显示技术会延续下去，看看现在这些一批批用于大型商业显示器的细微间距、超亮度、无机LED显示屏的浪潮。他们早已削减了高亮度前置放映灯的销售和租赁业务，转而成为电视新闻广播的首选背景显示器。

冷静……我们距离客厅里有台微型LED电视的日子还有很长的一段路！而对现在来说，仅次于最好的事物就是OLED技术。厂家坚信这就是显示器的未来，而且这也是今天大部分的资本投资的方向。该公司预计将在今年晚些时候或明年初建成其庞大的P10 OLED工厂，届时它将能够生产更大的OLED玻璃母板，并可以切割出更多种尺寸的屏幕，从而降低主流尺寸（如55英寸和65英寸）屏幕的价格。

4.分辨日立ZX200-3和-3G其实很简单 阿翔说车（4）

【铁甲工程机械网原创】在前几期的《阿翔说车》中，阿翔给大家展示的是几款热门新机的对比评测，有网友就在评论中跟阿翔说，今年买挖掘机可不只是新机，二手机也是一样火爆，建议阿翔能不能也选一些代表性的二手机进行评测呢？

在进行铁甲编辑部的讨论之后，我们觉得热门二手机的对比评测也是值得做的，因为很多热门的二手机型目前市场上已经很难找到新机了，例如卡特彼勒320D、小松PC200-8等等。这些都是曾经的经典机型，如今都已经进行了跟新换代，但是这部分机型在二手机市场上还是交易火爆的，所以《阿翔说车》栏目内将增加这部分机型的内容！

日立ZX200-3挖掘机

日立ZX200-3G挖掘机

今天我们就来说说二手机市场上很经典的两款机型，日立ZX200-3和ZX200-3G挖掘机！

关键参数对比

日立ZX200-3是一款采用电控直喷发动机的挖掘机，发动机型号为五十铃AI-4HK1X，额定功率为122kW，这是一款4缸中冷增压发动机。20吨级的挖掘机采用4缸发动机的品牌不多，但是这款发动机动力确实十分充足，额定功率要比ZX200-3G还大。

日立ZX200-3挖掘机发动机

这款挖掘机整机重量为20.2吨，目前已经停产多年，新机在售的时候价格约为95万。

而日立ZX200-3G则是采用直喷发动机，型号为五十铃AA-6BG1T，为6缸发动机，额定功率110kW。

日立ZX200-3G整机重量为19.8吨，在现在的角度看电控发动机已经成为了发展趋势，也并没有太严重的所谓“挑油”现象。可当年这款挖掘机由于采用直喷发动机受到很多用户的追捧，售价甚至要比日立ZX200-3还要高一些。

驾驶室外观对比

日立ZX200-3与ZX200-3G在外观上没有特别大的差异，但是在驾驶室的设计和配重外观设计上还有有些差别。先来看看日立ZX200-3挖掘机的驾驶室。

日立ZX200-3挖掘机驾驶室

日立ZX200-3挖掘机的驾驶室采用灰色和银色覆盖件搭配，外观设计要比ZX200-3显得“年轻”许多，银色的装饰条呈“L”形，从顶端延伸带驾驶室中后部，但是并没有延伸至驾驶室底部。

日立ZX200-3G挖掘机驾驶室

日立ZX200-3G驾驶室同样采用灰色和银色搭配，但是银色装饰条一直延伸至驾驶室底部，显得没有那么可爱，倒是有几分笨重的感觉。

日立ZX200-3挖掘机驾驶室后部

日立ZX200-3G挖掘机驾驶室后部

在驾驶室的顶部，两款机型也有些差别，日立ZX200-3驾驶室后窗玻璃的面积要比日立ZX200-3大。

大泵差异

日立ZX200-3与日立ZX200-3G都采用并联的可变量轴向柱塞泵，但是两款机型的液压泵外观上还是有些差异。

日立ZX200-3挖掘机液压泵

日立ZX200-3液压泵进油管的支管采用的是直角的弯头，而日立ZX200-3G上则是油管直连。

日立ZX200-3G挖掘机液压泵

在大泵右侧柴油滤芯的布置方面，两款机型也是有些差异，日立ZX200-3G的柴油滤芯位置要比大泵高一些。

回转马达差异

两款机型都是使用川崎的回转马达，但是从外观上还是可以看出一些差别。

日立ZX200-3G挖掘机回转马达

日立ZX200-3G上回转马达这两根油管采用锁扣直接安装。

而日立ZX200-3回转马达这个部位则稍微复杂一下，有部分结构的凸起。

配重差异

日立的中大型挖掘机配重都有一个可辨性很高的特征，在配重上都有一道横向长条的凹槽，我觉得这个设计要比卡特彼勒挖掘机的配重好看许多。但是这两款日立配重上的凹槽设计还真是有些不一样，来看下图。

日立ZX200-3挖掘机配重

这是日立ZX200-3的配重，而下面这张是日立ZX200-3G的配重，放在一起对比就比较明显了，看出差别了吗？

日立ZX200-3G挖掘机配重

日立ZX200-3配重凹槽较宽且更深，但是没有延伸至配重两侧的边缘；日立ZX200-3G配重上的凹槽一直延伸至配重两侧边缘，但是凹槽较窄且浅。

并且两款机型配重上“HITACHI”贴纸位置也不一样，日立ZX200-3贴纸较大，贴在配重上方正中间，而日立ZX200-3G贴纸较小，贴在配重中部靠右的位置。

显示器升级

两款挖掘机在驾驶室内部也有不少差异，差别最大的就是显示器了。

日立ZX200-3G挖掘机显示器

日立ZX200-3G采用了新款的长方形显示器，目前最新的日立挖掘机很多也是采用这种显示器，上方两个表显示发动机水温和燃油位，中间小款液晶显示屏可显示整机的工作小时数，而故障指示灯则设计在显示器下方。

日立ZX200-3挖掘机显示器

日立ZX200-3使用的则是老款的方形白屏显示器，显示数据比较单一，而且这个款式也是不如日立ZX200-3的新颖，但比较方便的是，这款显示器上有个液晶小时钟，这对于驾驶员查看时间是比较便捷的。

阿翔总结：

日立ZX200-3与日立ZX200-3G都是在二手机市场上很受欢迎的两款机型，两款挖掘机比较大的差异在于日立ZX200-3采用电控4缸发动机，而日立ZX200-3G则是采用直喷6缸发动机。另外一个差异较大的地方就是新老款显示器的差别，在外观的部位也有一些差异但都不是非常明显，希望这篇文章可以给计划选购20吨级日立挖掘机的朋友提供一下参考。